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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

总分
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

总分
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB 需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 38
    左右 -65% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.4 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14200
    左右 1.2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 11.4
  • 内存带宽，mbps
    14200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2496 left arrow 3007

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内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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