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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
81
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
81
读取速度,GB/s
14.4
8.5
写入速度,GB/s
9.8
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2600
1651
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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