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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
26
读取速度,GB/s
16.2
14.4
写入速度,GB/s
10.7
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
2846
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CM2X2048-8500C5D 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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