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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
14.9
16.4
写入速度,GB/s
9.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3206
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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