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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
28
读取速度,GB/s
16.2
17.3
写入速度,GB/s
12.5
13.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
3299
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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