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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
37
读取速度,GB/s
16.2
9.8
写入速度,GB/s
12.5
7.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
2229
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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