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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
66
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
66
读取速度,GB/s
6.8
16.1
写入速度,GB/s
5.4
8.3
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1810
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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