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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 60
    左右 -76% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 14900
    左右 1.29 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2929

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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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