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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
差异
规格
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
6.8
15.9
写入速度,GB/s
5.4
11.7
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2990
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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