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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
30
读取速度,GB/s
6.8
11.2
写入速度,GB/s
5.4
7.9
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2266
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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