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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

总分
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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 28
    左右 7% 更低的延时
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB 需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 13.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1932 left arrow 3244

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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最新比较

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Kingston HX424C15FB/8 8GB
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Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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