RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
3244
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link