RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3244
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link