RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
13.5
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1932
3244
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link