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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
74
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
74
读取速度,GB/s
6.8
13.8
写入速度,GB/s
5.4
7.9
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1825
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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