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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB 需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 60
    左右 -140% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.4 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 14900
    左右 1.29 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 11.4
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2681

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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