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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.9
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
18.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
18.2
18.3
写入速度,GB/s
14.9
13.2
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3303
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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