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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
42
读取速度,GB/s
18.2
14.7
写入速度,GB/s
14.9
10.8
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2476
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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