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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
55
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
55
读取速度,GB/s
18.2
9.3
写入速度,GB/s
14.9
7.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2078
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
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