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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
16.8
写入速度,GB/s
2,622.0
11.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3154
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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