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Kingston KP223C-ELD 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
61
左右 56% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
61
读取速度,GB/s
13.4
15.0
写入速度,GB/s
8.8
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
2028
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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