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Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.4
17.4
写入速度,GB/s
8.8
14.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
3327
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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