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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
9.3
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2317
2873
Kingston KP4T2F-PSB 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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