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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
13.9
15.0
写入速度,GB/s
9.5
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3085
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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