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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
54
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
46
读取速度,GB/s
4,967.4
15.9
写入速度,GB/s
1,973.5
12.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2936
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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