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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston 9905625-097.A00G 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
16.7
17.2
写入速度,GB/s
10.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2809
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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INTENSO 5641160 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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