RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB

总分
star star star star star
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

总分
star star star star star
Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 38
    左右 32% 更低的延时
Kingston KCDT82-MIE 4GB 需要考虑的原因
Kingston KCDT82-MIE 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2432 left arrow 2302

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
内存RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
内存RAM