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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
44
读取速度,GB/s
13.9
14.2
写入速度,GB/s
9.5
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2425
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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