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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
96
左右 73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
4.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
96
读取速度,GB/s
13.9
6.8
写入速度,GB/s
9.5
4.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
992
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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