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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
13.9
17.6
写入速度,GB/s
9.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2910
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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