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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
19.9
写入速度,GB/s
8.4
17.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4001
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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