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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
75
左右 -213% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
24
读取速度,GB/s
1,943.5
15.4
写入速度,GB/s
1,672.1
8.2
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2438
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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