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Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
73
75
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
73
读取速度,GB/s
1,943.5
14.4
写入速度,GB/s
1,672.1
7.8
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
1842
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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