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Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
75
左右 -226% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
23
读取速度,GB/s
1,943.5
16.8
写入速度,GB/s
1,672.1
9.6
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2726
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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