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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
50
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
39
读取速度,GB/s
5,143.3
13.2
写入速度,GB/s
1,905.1
9.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2489
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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