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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
14.9
15.3
写入速度,GB/s
9.6
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3371
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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