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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
43
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3371
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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