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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
52
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,329.2
1,905.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
50
52
读取速度,GB/s
5,143.3
4,594.7
写入速度,GB/s
1,905.1
2,329.2
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
724
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB RAM的比较
Corsair VS2GB800D2 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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