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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
15.8
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2927
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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