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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
56
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,905.1
1,813.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
50
56
读取速度,GB/s
5,143.3
4,387.7
写入速度,GB/s
1,905.1
1,813.5
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
693
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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