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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
50
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
45
读取速度,GB/s
5,143.3
10.0
写入速度,GB/s
1,905.1
8.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2414
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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