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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
比较
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
总分
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
7.2
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3091
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
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