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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
26
读取速度,GB/s
9.4
17.7
写入速度,GB/s
5.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
3266
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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