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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
9.4
17.0
写入速度,GB/s
5.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
3422
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
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