RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
3422
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link