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Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
比较
Kingston XCCT36-MIE 16GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
总分
Kingston XCCT36-MIE 16GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston XCCT36-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
17.9
16.8
写入速度,GB/s
16.9
14.0
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3795
3015
Kingston XCCT36-MIE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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