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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
比较
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
总分
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
80
左右 50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
80
读取速度,GB/s
14.4
14.7
写入速度,GB/s
9.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2455
1775
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB RAM的比较
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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