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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
比较
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
总分
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
总分
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
14.4
11.7
写入速度,GB/s
9.0
5.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2455
1771
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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