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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,168.0
16.4
写入速度,GB/s
1,855.7
13.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3336
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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