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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,168.0
15.8
写入速度,GB/s
1,855.7
12.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3038
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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